서울대학교NIT 대학공동시설 이용지원 프로그램

(NIT Share-ISRC Program)

1. 목적

    과학기술부에서 주관하는 “NT-IT 융합기술 인력양성 지원사업”의 일환으로 서울대학교 반도체 공동연구소에 구축되어 있는 NIT 장비 및 시설을 이용하여 전국 대학 교수들과 대학원생들이 반도체 공동연구소의 NIT 장비 및 시설을 무상으로 제공하여 NIT 관련 연구를 수행하게 함으로써 실질적 연구 경험을 갖춘 고급 인력을 양성하고 공동 활용이 가능한 NIT 공정 기술 기반을 구축하고자 함.

2. 모집 대상

 - 반도체 시설을 이용하여 연구를 수행할 필요가 있는 전국 대학의 전임강사 이상

(학위 취득 5년 이내인 신진 연구자 우선 대상)

- NIT 관련 중소, 벤처 업체 (나노산업 연구조합 가입 회원사에 한함)

3. 참여 신청

  - 응모 기간: 2004년 8월 10일 - 2004년 9월 9일

4. 연구 수행 기간

        - 2004년 10월 1일 – 2005년 3월 30일

5. 과제 수행 방법

- 본 연구소의 시설 및 장비를 사용하여 연구를 수행하며, 과제별로 연구비를 신청하고, 심사를 통하여 결정된 사용 한도액까지 시설, 장비, 재료를 사용.

    -  공정 처리비는 과제 수행 시 본 연구소의 시설 및 장비 사용 요율을 따름.

   (공정과 관련된 재료(wafer 등)를 포함하여 사용 한도액은 최대 500만원 범위 제공.)

- 일부 공정만을 본 연구소에서 수행하는 과제도 참여 가능, 과제의 성격(아래 표 참조)에 따라 새로운 공정개발 및 과제 참여자 직접 수행도 가능하며, 이 경우 ISRC의 장비 사용 가능자에 등록되어있거나 사용자 교육 프로그램을 이수해야 함.

6. 결과 보고 및 평가

시설 사용 결과에 대하여는 실험 종료 후 1주일 이내에 소정 양식(첨부파일: 별첨 참조)의 연구 결과 보고서를 3장 이상 제출하여야 하며, 본 사업과 관련하여 발생된 연구 논문에는 “NIT 대학공동시설 이용지원 프로그램(NIT Share-ISRC Program)” 지원으로 연구가 이루어 졌음을 명시해야 함.

7. 지원 분야

         지원 분야는 다음의 4 개 분야로 분류된다.

        - NIT CMOS 및 관련 공정

        - NIT 신소자 및 신소재

        - NIT MEMS

- NIT 신물질 및 기타분야

      ※ 4개 지원 분야의 세부 분야 및 사용 가능 장비(예)

1.       NIT CMOS 및 관련 공정

1.1      세 부 분 야: 나노 Patterning , e-Beam Lithography, 나노 구조 Etching,

Device Technology related

1.2      대표적 사용 가능 장비(예시): Photo Lithography(Stepper, Aligner), e-Beam Lithography

                                Etcher(poly, metal, Oxide 등), ILD / IMD /HDPCVD,

Ion Implantation, 측정 및 분석 장비

2.       NIT 신소자 및 신소재

2.1       세 부 분 야: 나노 공정, 초고속 소자, 나노 광소자

2.2      대표적 사용 가능 장비(예시): Photo Lithography(Stepper, Aligner), e-Beam Lithography

                                Etcher(poly, metal, Oxide 등Low temp. epi, LPCVD,

MOCVD (BST, GaN, InP등), 측정 및 분석 장비

3.       NIT MEMS

3.1      세 부 분 야: 나노 구조 Patterning

3.2      대표적 사용 가능 장비(예시): Photo Lithography(Stepper, Aligner), PECVD

                                Etcher(poly, metal, Oxide 등), 측정 및 분석 장비

측정 및 분석 장비

4.       신물질 및 기타 분야

4.1      세 부 분 야: 나노 공정, CAD 환경

4.2      대표적 사용 가능 장비(예시): α-step, ellipsometer, nanospec 등

 DC parameter analyzer, CV meter 등

SUN Enterprise450, Cadence

 8. 지원서 제출

지원자는 별도의 지원 양식(첨부파일: 별첨 참조)에 따라 지원서를 반도체공동연구소에 제출.

지원서에는 해당 과제에 사용되는 공정 설명서(개요도 형식)와 세부 공정을 기입한 run sheet(첨부파일:

별첨 참조) 작성하여 제출함.

  * 응모 기간: 2004년 8월 10일 ~ 2004년 9월 9일(1달)

* 신청 양식 및 안내는 본 연구소의 홈페이지(http://www.isrc.snu.ac.kr)에서 다운로드 받아 사용

n         신청서 접수: 이혜영, Tel: 02-880-5449 / 7hyl@isrca.snu.ac.kr

n         Run sheet 작성 공정 상담: 박종삼, Tel: 02-880-5449 / jspark@isrca.snu.ac.kr

오명숙, Tel: 02-880-5449 / cutems@isrca.snu.ac.kr

n         공정 처리비/재료비 산출: 김상엽, Tel:02-880-5454 교환323 / wd50@isrca.snu.ac.kr

n         신청 양식: 이혜영, www.isrc.snu.ac.kr  -> 공지 사항