서울대 서광석 교수팀은 과학기술부 테라급나노소자개발사업단의 지원을 받아 세계에서 가장 빠르고 크기가 작은 15㎚, 610㎓급 갈륨비소계 나노트랜지스터(mHEMT:metamorphic HEMT) 개발에 성공했다고 11일 밝혔다. 이 기술은 나노 HEMT 소자의 게이트 길이를 15㎚까지 줄이고 트랜지스터 작동속도를 결정짓는 전류이득 차단주파수(fT)를 610㎓까지 끌어올려 작동하도록 한 게 특징이다.

　이 기술은 특히 일본 후지쯔가 보유한 기존 25㎚, 562㎓급 세계 최고 기록을 뛰어넘는 것으로 나노트랜지스터 분야에서 기술적 우위를 확보할 수 있을 것으로 기대된다.

서광석 교수는 “15㎚급 HEMT 소자는 기존 인듐인(InP) 기반 소자보다 가격은 절반 이하고 제조 공정이 쉬워 대량 생산이 가능하다”며 “50㎚ 수준 기술로 상용화한다면 나노 화합물 반도체 시장을 이끌어갈 수 있을 것”으로 전망했다.

　화합물 반도체는 실리콘 반도체보다 스위칭 속도가 10배 이상 빠르고 소비전력은 10분의 1 이하여서 이동•위성통신, 자동차 충돌방지장치, 모바일 센서 등 마이크로파•밀리미터파 시스템과 초고속 광통신 시스템 핵심 부품으로 사용되고 있다. 이 기술은 11일(현지시각) 미국 워싱턴에서 열린 2007 IEDM에서도 소개됐다.