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서울공대 이야기
 

영 사이언티스트 : 차세대 메모리 `M램` 독자개발 심혈


 

재료공학부 김 상 국 교수

초고밀도 메모리 소자로 각광 받는 M램이 D램을 완전 대체한다 면 앞으로 `부팅`이라는 컴퓨터 단어가 사라질지도 모릅니다.

차세대 메모리라 불리는 유니 버셜 메모리의 하나로 IBM, 모토 롤라, 삼성전자 등 세계적 기업들 이 10여년 전부터 차세대 정보기 억소자로 주목해온 M램. 서울대 재료공학부 김상국 교수가 집중 연구 중인 분야 역시 M램이다. 김 교수는 특히 기존 방식과는 전혀 다른 `저전압인가방식`연구 방 법을 제시해 주목을 끌고 있다.

자성체로 된 박막을 이용하는 M램은 정보단위인 셀(cell)의 스핀 방향을 디지털화해 정보를 저장, 기록하는 메모리 소자입니다. 그 러나 메모리의 집적도가 높아질 수록 정보 유실이 점점 커진다는 게 기존 연구방법의 한계였지요.

김 교수가 독창적 아이디어로 생각해낸 저전압인가방식은 기존 메모리 소자에 이용되는 자성박 막에 전기신호를 기계신호로 변 환할 수 있는 압전박막을 첨가해 사용한다는 게 가장 큰 특징으로 정보 손실을 획기적으로 줄일 수 있다고 한다.

만약 이 연구가 성공해 향후 초 고밀도 메모리 소자의 원천 기술 로 사용된다면 초경량, 초절전형, 초대용량이 요구되는 모든 전자기 기의 정보기억 매체를 대체할 수 있게 됩니다. 그는 대부분의 산학 프로젝트 가 독자적인 원천기술을 개발할 수 있는 이론 연구보다는 당장 상 용화할 과제에 집중돼 있다 며 미래 경쟁력을 위해 응용과 기초 기술에 대한 조화로운 연구가 필 요하다 고 강조했다.

    헤럴드경제 2004년 03월 26일

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